型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V87125+￥12.402050+￥11.8720200+￥11.5752500+￥11.50101000+￥11.42682500+￥11.34205000+￥11.28907500+￥11.2360 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V976410+￥7.2960100+￥6.9312500+￥6.68801000+￥6.67582000+￥6.62725000+￥6.56647500+￥6.517810000+￥6.4934 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V196010+￥10.1160100+￥9.6102500+￥9.27301000+￥9.25612000+￥9.18875000+￥9.10447500+￥9.037010000+￥9.0032 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V98845+￥15.034550+￥14.3920200+￥14.0322500+￥13.94231000+￥13.85232500+￥13.74955000+￥13.68537500+￥13.6210 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V960410+￥8.6880100+￥8.2536500+￥7.96401000+￥7.94952000+￥7.89165000+￥7.81927500+￥7.761310000+￥7.7323 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295+￥25.599650+￥24.5056200+￥23.8930500+￥23.73981000+￥23.58662500+￥23.41165000+￥23.30227500+￥23.1928 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V550010+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V 新55675+￥19.071050+￥18.2560200+￥17.7996500+￥17.68551000+￥17.57142500+￥17.44105000+￥17.35957500+￥17.2780 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V52495+￥2.254525+￥2.087550+￥1.9706100+￥1.9205500+￥1.88712500+￥1.84545000+￥1.828710000+￥1.8036 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V278610+￥7.7400100+￥7.3530500+￥7.09501000+￥7.08212000+￥7.03055000+￥6.96607500+￥6.914410000+￥6.8886 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。51791+￥89.539010+￥85.6460100+￥84.9453250+￥84.4002500+￥83.54381000+￥83.15452500+￥82.60955000+￥82.1423 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V79805+￥5.467525+￥5.062550+￥4.7790100+￥4.6575500+￥4.57652500+￥4.47535000+￥4.434810000+￥4.3740 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V27975+￥14.402750+￥13.7872200+￥13.4425500+￥13.35641000+￥13.27022500+￥13.17175000+￥13.11027500+￥13.0486
